Guangtongxin yanjiu (Jan 2004)

850nm氧化限制型VCSEL研究

  • 岳爱文,
  • 王任凡,
  • 沈坤,
  • 石兢

Abstract

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通过对850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器（VCSEL）结构的研究,研制出了满足实用要求的高性能的850nm氧化限制型VCSEL.激光器12μm和16μm氧化孔径25℃的阈值电流分别为1.2mA和1.8mA,斜效率为0.58mW/mA,微分串联电阻为35Ω和25Ω,激光器具有良好的温度特性和可靠性,可应用于1.25Gbit/s数据通信.

Keywords