Ⅲ-Ⅴ族InGaAs和InGaAsP雪崩光电二极管综述

Abstract

IaGaAs和InGaAsP异质结雪崩光电二极管的性能受到隧道效应、微等离子体和杂质等的严重影响。采用光吸收区电倍增区分离的结构。以宽能隙的InP为电倍增区,窄能隙的IaGaAs或InGaAsP为光吸收区,P型扩散杂质低于临界值ND+,以及雪崩区的适当厚度,就能减小或避免隧道效应产生。器件的微等离子体可以通过采用低位错或无位错的衬底,生长质量优良的外延层。扩散杂质均匀,选用平面保护环或倒台面型来减少或消除。从而得到高性能的雪崩光电器件。现在雪崩增益高于3000,暗电流为2pA（0.5VB）、离化系数比为0.3～0.5左右的APA就是SAM（吸收区倍增区分离）扩镉的平面保护环结构。